[发明专利]一种透明介质窗、基片处理腔室和基片处理系统有效
| 申请号： | 201510955079.8 | 申请日： | 2015-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN106898567B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 宗令蓓 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种透明介质窗、基片处理腔室和基片处理系统，涉及半导体技术领域，用于在对基片进行加热的过程中，保证透明介质窗的温度均匀性，进而提高基片的温度的均匀性。所述透明介质窗位于加热组件和基片之间，所述透明介质窗的不同区域的厚度不同，以使所述加热组件对所述透明介质窗加热时，所述透明介质窗的温度均匀。本发明中的透明介质窗在使用加热组件对基片进行加热过程中使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 透明 介质 处理 系统 | ||
【主权项】：
一种透明介质窗，所述透明介质窗位于加热组件和基片之间，其特征在于，所述透明介质窗的不同区域的厚度不同，以使所述加热组件对所述透明介质窗加热时，所述透明介质窗的温度均匀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
