[发明专利]垂直LED芯片结构及其制备方法

摘要

本发明提供一种垂直LED芯片结构及其制备方法，在制作完GaN发光外延结构之后，首先采用KOH对N-GaN层进行一次粗化，然后采用显影液（低碱性溶液）进行二次粗化，使得一次粗化形成的疏松的小金字塔逐渐变大，且不利于出光的平面区域出现密集的小金字塔形貌，这种大包小包共存的粗化形貌可使垂直芯片亮度大幅提升。本发明通过一种二次粗化工艺，可以明显改善现有垂直芯片N-GaN表面粗化效果不佳的状况，大幅提升垂直芯片的光提取效率。本发明的结构及方法简单，在半导体照明领域具有广泛的应用前景。

主权项

一种垂直LED芯片结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：步骤1)，提供一生长衬底，于所述生长衬底上依次生长UID‑GaN层、N‑GaN层、多量子阱层以及P‑GaN层；步骤2)，于所述P‑GaN层表面形成反射P电极；步骤3)，提供一导电基底，并将该导电基底键合于所述反射P电极上；步骤4)，剥离所述生长衬底；步骤5)，去除所述UID‑GaN层，并去除切割道区域的GaN，形成台面图形；步骤6)，采用KOH强碱溶液对所述N‑GaN层进行第一次粗化，然后采用显影液弱碱溶液对所述N‑GaN层进行第二次粗化，以于N‑GaN层表面形成密集的金字塔形貌；步骤7)，于所述N‑GaN层表面制作N电极。