[发明专利]一种大直径硅基多晶硅膜的制备方法有效
| 申请号： | 201510957204.9 | 申请日： | 2015-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN106894080B | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 徐继平;曲翔;刘斌;李耀东;王海涛;程凤伶;刘俊;肖清华;卢立延;盛方毓;边永智;宁永铎;何宇;王雷;张建;刘浩懿 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/14 | 分类号： | C30B28/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青;熊国裕 |
| 地址： | 101300 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大直径硅基多晶硅膜的制备方法，包括低温高速沉积步骤和高温低速沉积步骤；在低温高速沉积步骤中，温度为600℃‑640℃，转速为1.5‑2.5rpm；在高温低速沉积步骤中，温度为660℃‑690℃，转速为0.5‑1.5rpm。本发明的方法通过先低温高速沉积后高温低速沉积的组合方式沉积多晶硅薄膜，能够显著改善BOW/WARP参数。本发明工艺控制简单，有效控制多晶硅薄膜应力，满足硅基材料多晶沉积，特别是8英寸以上大直径硅基材料多晶沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 高速沉积 多晶硅膜 硅基材料 多晶 硅基 制备 沉积多晶硅薄膜 多晶硅薄膜 工艺控制 有效控制 组合方式 | ||
【主权项】：
1.一种大直径硅基多晶硅膜的制备方法，其特征在于，包括低温高速沉积步骤和高温低速沉积步骤，第一步是低温高速沉积步骤，第二步是高温低速沉积步骤；在低温高速沉积步骤中，温度为600℃‑640℃，转速为1.5‑2.5rpm；在高温低速沉积步骤中，温度为660℃‑690℃，转速为0.5‑1.5rpm。
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