[发明专利]改善刻蚀工艺终点监测准确性的方法、刻蚀方法在审
| 申请号： | 201510960586.0 | 申请日： | 2015-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN106898561A | 公开（公告）日： | 2017-06-27 |
| 发明（设计）人： | 黄智林;黄秋平;王洪青;严利均;倪图强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙)31249 | 代理人： | 徐雯琼,张静洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种改善博世法刻蚀工艺终点监测准确性的方法与利用博世法进行刻蚀的方法，以改善工艺结果的稳定性和刻蚀终点监测结果的准确性。其中，所述改善博世法刻蚀工艺终点监测准确性的方法，包括获取博世法刻蚀工艺的工艺菜单；更改工艺菜单中某些步骤的气压参数，以使该工艺菜单中刻蚀步骤与沉积步骤的气压相等；对于气压参数被更改的步骤，调整工艺菜单中该步骤的其它参数，以补偿其气压参数的更变；根据该更改气压参数和调整其它参数的步骤，获得新的工艺菜单；执行该新的工艺菜单，以进行刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 刻蚀 工艺 终点 监测 准确性 方法 | ||
【主权项】：
一种改善博世法刻蚀工艺终点监测准确性的方法，包括：获取博世法刻蚀工艺的工艺菜单；更改工艺菜单中某些步骤的气压参数，以使该工艺菜单中刻蚀步骤与沉积步骤的气压相等；对于气压参数被更改的步骤，调整工艺菜单中该步骤的其它参数，以补偿其气压参数的更变；根据该更改气压参数和调整其它参数的步骤，获得新的工艺菜单；执行该新的工艺菜单，以进行刻蚀。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备（上海）有限公司，未经中微半导体设备（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510960586.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于无线通信吊秤的节能装置及无线通信吊秤
- 下一篇：一种振动测试装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
