[发明专利]一种半导体器件金属薄膜结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201510961041.1 | 申请日： | 2015-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN106898582B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 刘国友;张鸿鑫;罗海辉;谭灿健;贺洪露;张大华 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L21/58 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 赵洪 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件金属薄膜结构及其制作方法，包括：形成于芯片的衬底上的导电缓冲层，用于芯片的导电和封装引线键合的缓冲；形成于导电缓冲层上的支撑缓冲层，对整个金属薄膜结构进行支撑和缓冲、保护；形成于支撑缓冲层上的防腐蚀抗老化层，对金属薄膜结构进行防腐蚀和抗老化保护；形成于防腐蚀抗老化层上的增强层，用于增加防腐蚀抗老化层的硬度和强度，同时改善金属薄膜结构的接触特性。其中，导电缓冲层和支撑缓冲层的位置可以互换。本发明能够解决现有半导体器件表面金属层结构使用寿命低、可靠性差的技术问题，同时本发明金属薄膜结构简单且应力较小，与铝工艺具有较强的兼容性，制造工艺简单，可使用铜引线进行封装，成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 金属 薄膜 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件金属薄膜结构，其特征在于，包括：形成于芯片(9)的衬底(8)上的导电缓冲层(1)，所述导电缓冲层(1)用于所述芯片(9)的导电和封装引线键合的缓冲；形成于所述导电缓冲层(1)上的支撑缓冲层(2)，对整个金属薄膜结构进行支撑和缓冲、保护；形成于所述支撑缓冲层(2)上的防腐蚀抗老化层(3)，对所述金属薄膜结构进行防腐蚀和抗老化保护；形成于所述防腐蚀抗老化层(3)上的增强层(4)，用于增加所述防腐蚀抗老化层(3)的硬度和强度，同时改善所述金属薄膜结构的接触特性；在所述导电缓冲层(1)与衬底(8)之间还形成有籽晶层(5)，所述籽晶层(5)用于所述芯片(9)电镀工艺的导电；所述籽晶层(5)进一步包括形成于所述衬底(8)上的扩散阻挡层(7)，以及形成于所述导电缓冲层(1)与所述扩散阻挡层(7)之间的粘附层(6)，所述扩散阻挡层(7)用于阻挡所述粘附层(6)向所述衬底(8)的扩散；在所述扩散阻挡层(7)与所述衬底(8)之间还形成有铝层，所述铝层用于增强所述扩散阻挡层(7)与所述衬底(8)之间的粘附性，减小所述金属薄膜结构与所述衬底(8)之间的接触电阻及高温环境下所述金属薄膜结构与所述衬底(8)之间的应力，所述铝层的厚度为0.001～10μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株洲南车时代电气股份有限公司，未经株洲南车时代电气股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510961041.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
