[发明专利]离子注入机台的测试方法有效
| 申请号： | 201510963714.7 | 申请日： | 2015-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN105551992B | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 姚雷;张凌越;朱云;国子明;范世炜;郭国超 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴圳添;吴敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种离子注入机台的测试方法，用于测试离子注入机台是否适于对多晶硅进行离子注入，以确保后续热氧化过程中多晶硅表面生长的氧化层的厚度稳定，所述测试方法包括：提供晶圆；在所述晶圆表面形成氧化物层，从而使所述晶圆成为测试晶圆；将所述测试晶圆放置到离子注入机台的离子注入腔室中；在所述离子注入腔室中对所述测试晶圆进行离子注入；在所述离子注入后，测量所述氧化物层的电荷，根据所述电荷判断离子注入机台是否适于对多晶硅进行离子注入。所述测试方法能够准确判断离子注入机台是否适于对多晶硅进行离子注入，以确保后续热氧化过程中多晶硅表面生长的氧化层的厚度稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 机台 测试 方法 | ||
【主权项】：
1.一种离子注入机台的测试方法，用于测试离子注入机台是否适于对多晶硅进行离子注入，以确保后续热氧化过程中多晶硅表面生长的氧化层的厚度稳定，其特征在于，包括：提供晶圆；在所述晶圆表面形成氧化物层，从而使所述晶圆成为测试晶圆；将所述测试晶圆放置到离子注入机台的离子注入腔室中；在所述离子注入腔室中对所述测试晶圆进行离子注入；在所述离子注入后，测量所述氧化物层的电荷，根据所述电荷判断所述离子注入机台是否适于对多晶硅进行离子注入，以确保后续热氧化过程中所述多晶硅表面生长的所述氧化层的厚度稳定；其中，通过测量所述氧化物层的平均表面电压得到所述氧化物的电荷，并根据电荷对应的所述平均表面电压判断所述离子注入机台是否适于对多晶硅进行离子注入，以确保后续热氧化过程中所述多晶硅表面生的所述氧化层的厚度稳定；当所述氧化物层的平均表面电压大于‑2V时，判定所述离子注入机台状况异常，不适于对多晶硅进行离子注入；当所述氧化物层的平均表面电压小于等于‑2V时，判定所述离子注入机台状况正常，适于对多晶硅进行离子注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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