[发明专利]双沟槽高压屏蔽的横向绝缘栅双极器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201510965034.9 | 申请日： | 2015-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN105590958B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 祝靖;黄超;张龙;卜爱国;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种双沟槽高压屏蔽的横向绝缘栅双极器件及其制备方法，包括：P型衬底，埋氧层，N型外延层，在N型外延层中设有P型体区和N型缓冲层，在P型体区内设有P型发射极和N型发射极，N型发射极上方设有多晶硅栅，多晶硅栅上设有金属连接多晶硅栅至结构外围的输入\输出，在N型缓冲层中设有P型集电极，N型缓冲层上方有多晶硅场板，多晶硅场板上连有栅极金属，P型体区三面包围着N型缓冲层，留有一面的间断，P型集电极连有集电极金属连线，在集电极金属连线之下靠近结构边缘设有沟槽，沟槽内掺有介质，在整个结构外包围有沟槽，沟槽内掺有介质。所述高压互连线屏蔽结构靠近集电极的沟槽下方不与埋氧层接触，留有空隙。 1 | ||
| 搜索关键词： | 多晶硅栅 集电极 多晶硅场板 横向绝缘栅 集电极金属 高压屏蔽 双极器件 埋氧层 双沟槽 连线 制备 包围 结构边缘 金属连接 屏蔽结构 栅极金属 整个结构 互连线 衬底 三面 外围 输出 | ||
【主权项】：
1.一种双沟槽高压屏蔽的横向绝缘栅双极器件，包括：P型衬底(1)，在P型衬底(1)上设有埋氧层(2)，在埋氧层(2)上设有N型外延层(3)，在N型外延层(3)中设有P型体区(4)和N型缓冲层(5)，在P型体区(4)内设有N型发射极(6)和P型发射极(7)，N型发射极(6)上方设有多晶硅栅(13)，多晶硅栅(13)上设有金属(18)连接多晶硅栅(13)至结构外围的第二输入\第二输出(16)，在N型缓冲层(5)中设有P型集电极(8)，N型缓冲层(5)上方有多晶硅场板(14)，多晶硅场板(14)由多晶硅场板(14)上方的集电极金属连线(9)连接至结构外围的第一输入\第一输出(15)，P型体区(4)三面包围着N型缓冲层(5)，留有一面的间断，由P型集电极(8)引出的集电极金属连线(9)通过间断区域延伸至结构外的第一输入\第一输出(15)，在集电极金属连线(9)之下靠近结构边缘设有第一沟槽(10)和第二沟槽(11)，第一沟槽(10)浅于第二沟槽(11)，第一沟槽(10)和第二沟槽(11)内掺有介质，第一沟槽(10)和第二沟槽(11)的走向垂直于集电极金属连线(9)的走向，在整个结构外包围有第三沟槽(12)，第三沟槽(12)内掺有介质，隔离整个结构与外围区域，其特征在于第一沟槽(10)下方不与埋氧层接触，留有空隙。
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