[发明专利]器件的制作方法在审

专利信息
申请号: 201510968124.3 申请日: 2015-12-22
公开(公告)号: CN105731362A 公开(公告)日: 2016-07-06
发明(设计)人: 王诗男;濑户本丰 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;B81B7/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 杨小明
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及一种器件的制作方法。包括半导体基板、元件单元、贯通布线和布线部分的电子器件的制作方法包括:在基板的第一表面中形成非贯通的通路孔;在通路孔的内壁上形成第一绝缘膜;从基板的第二表面形成到达通路孔的底部的第一绝缘膜的开口;在开口的底部上形成第二绝缘膜;在通路孔中形成贯通布线;形成与贯通布线电连接的元件单元;从第二表面减小基板的厚度,使得第二表面变得与开口的底部的第二绝缘膜齐平;和在第二绝缘膜上形成与贯通布线电连接的布线部分。
搜索关键词: 器件 制作方法
【主权项】:
一种器件的制作方法,其特征在于,所述器件包括包含电极的元件部分、包含第一表面和与第一表面相反的第二表面的基板、以及从第一表面延伸到第二表面的贯通布线,所述电极与所述贯通布线电连接,所述方法包括以下步骤:从基板的第一表面形成第一孔,第一孔具有第一孔不穿过基板的深度;在第一孔的内壁上形成第一绝缘膜;从基板的与第一绝缘膜相反的第二表面形成到达第一绝缘膜的第二孔;在第二孔上形成第二绝缘膜;将贯通布线的材料注入到第一孔中;在第一表面上形成所述元件部分,所述元件部分与所述贯通布线的材料电连接;从基板的第二表面将基板减薄至第二绝缘膜;和在第二绝缘膜上形成布线部分,所述布线部分与所述贯通布线的材料连接。
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