[发明专利]一种等离子处理改善Al集电极的方法

摘要

一种等离子处理改善Al集电极的方法，本发明涉及电极材料的制备方法。本发明要解决现有Al集电极材料中由于致密氧化层存在，导致的界面电阻较高，载流子扩散较慢的问题。本发明的方法对铝箔进行清洗处理，将清洗后的铝箔置于等离子体化学气相沉积真空装置中，通入氢气和氩气并调节压强，在氢气和氩气气氛中升温，调节参数，刻蚀处理；最后通入氩气和甲烷，调节气体流量，压强和射频功率，沉积碳层，即可完成等离子处理。本发明用于等离子处理改善Al集电极的方法。

主权项

一种等离子处理改善Al集电极的方法，其特征在于它是按照以下步骤进行的：一、将Al基底材料先置于丙酮溶液中超声清洗1min～5min，然后再置于无水乙醇中超声清洗1min～5min，清洗后烘干，得到清洗后的Al基底材料；二、将清洗后的Al基底材料置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，抽真空后，通入氢气，调节氢气气体流量为10sccm～100sccm，再通入氩气，调节氩气体流量为10sccm～100sccm，然后调节等离子体增强化学气相沉积真空装置中压强为100Pa～300Pa，并在压强为100Pa～300Pa的条件下，在15min将温度升温至300℃～600℃；三、升温后，调节等离子体增强化学气相沉积真空装置中压强为200Pa～500Pa，然后在射频功率为50W～200W、压强为200Pa～500Pa和温度为300℃～600℃的条件下进行刻蚀，刻蚀时间为10s～900s；四、刻蚀结束后，停止通入氢气，通入甲烷气体，调节甲烷气体流量为5sccm～50sccm，调节氩气流量为50sccm～100sccm，调节等离子体化学气相沉积真空装置中压强为200Pa～700Pa，然后在射频功率为50W～200W、压强为200Pa～700Pa和温度为300℃～600℃条件下进行沉积，沉积时间为10s～900s，沉积结束后，关闭电源，停止通入甲烷气体，在氩气气氛下，将温度由300℃～600℃冷却至室温，即得到等离子处理改善的Al集电极。