[发明专利]基于电流镜的耐高温恒流启动电路有效

专利信息
申请号: 201510968883.X 申请日: 2015-12-21
公开(公告)号: CN105388950B 公开(公告)日: 2016-11-23
发明(设计)人: 金淼鑫;高强;徐殿国;寇佳宝;韩啸;张婉莹;李文爽 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 张宏威
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 基于电流镜的耐高温恒流启动电路,属于石油参数控制领域,本发明为解决采用电流调节二极管作为启动电路在温度高于100℃时无法完成启动任务的问题。本发明包括NPN三极管Q1、Q2、NMOS晶体管M、电阻R1、R2和恒流二极管D1;Q1、Q2和R1构成电流镜结构;流过Q1的电流I2和流过Q2集电极的电流I1保持相等;启动电路的总电流I=I1+I2+I3,式中I3为M中流过的电流;当温度低于100℃时,由D1负责调节电路电流,以保证I恒定;当温度高于100℃时,随着温度升高,D1的电流调节能力下降,I1减小,I2随之减小,I3增加,I3的增加量补偿了I1、I2的减小量,总电流I保持恒定。
搜索关键词: 基于 电流 耐高温 启动 电路
【主权项】:
基于电流镜的耐高温恒流启动电路,包括NPN三极管Q1、NPN三极管Q2和电阻R1构成电流镜结构;其特征在于,还包括电阻R2、NMOS晶体管M和恒流二极管D1;电源正极Vin同时连接NMOS晶体管M的漏极、电阻R2的一端和恒流二极管D1的阳极;NMOS晶体管M的栅极同时连接电阻R2的另一端、NPN三极管Q1的集电极和电阻R1的一端;NPN三极管Q1的基极同时连接电阻R1的另一端和NPN三极管Q2的基极;NPN三极管Q2的集电极连接恒流二极管D1的阴极;NMOS晶体管M的源极、NPN三极管Q1的发射极和NPN三极管Q2的发射极同时接地;其中:流过NPN三极管Q1的电流I2和流过NPN三极管Q2集电极的电流I1保持相等;启动电路的总电流I=I1+I2+I3,式中I3为NMOS晶体管M中流过的电流;当温度低于100℃时,由恒流二极管D1负责调节电路电流,以保证总电流I恒定;当温度高于100℃时,随着温度升高,恒流二极管D1的电流调节能力下降,流过恒流二极管D1的电流I1减小,I2随之减小,电阻R2两端的电压减小,则Q1的集电极‑发射极电压升高,即NMOS晶体管M的栅‑源极电压VGS升高,则I3增加,I3的增加量补偿了I1、I2的减小量,总电流I保持恒定。
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