[发明专利]一种基于双模冗余的抗单粒子多节点翻转加固锁存器在审
| 申请号： | 201510969571.0 | 申请日： | 2015-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN105577161A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 黄正峰;付俊超;梁华国;欧阳一鸣;易茂祥;闫爱斌;许晓琳;方祥圣 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | H03K19/003 | 分类号： | H03K19/003 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230009 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于双模冗余的抗单粒子多节点翻转加固锁存器，涉及抗辐射集成电路设计领域，包括一个输入模块（1），两个结构相同的存储单元MC1、MC2，一个4管Muller C单元（2）。本发明对单粒子单节点翻转能够实现完全自恢复，并且对单粒子多节点翻转能够完全容忍，从而提高了系统的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 双模 冗余 粒子 节点 翻转 加固 锁存器 | ||
【主权项】：
一种基于双模冗余的抗单粒子多节点翻转加固锁存器，其特征在于：包括一个输入模块（1），两个存储单元MC1、MC2，一个4管Muller C单元（2）；所述输入模块（1）由4个PMOS晶体管和1个反相器构成；所述2个存储单元MC1和MC2的结构相同，其中每个存储单元由6个PMOS晶体管和4个NMOS晶体管构成；Muller C单元（2）由两个PMOS晶体管和两个NMOS晶体管构成；输入模块（1）的输出端与存储单元MC1、MC2连接，存储单元MC1、MC2分别与Muller C单元（2）的两个输入端连接。
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