[发明专利]PZT-ZnO薄膜在审
| 申请号： | 201510970261.0 | 申请日： | 2015-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN106910818A | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 曹大旭 | 申请（专利权）人： | 青岛城轨交通装备科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L41/02 | 分类号： | H01L41/02;H01L49/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市城*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明属于复合材料领域的一种PZT-ZnO薄膜，具体实施方式;基底上先利用射频磁控溅射法制备ZnO薄膜，然后在掺杂ZnO薄膜上制备PZT薄膜，低温烧结后得到CNT-ZnO透明导电复合薄膜。该薄膜膜结构均匀致密，导电性能良好。 | ||
| 搜索关键词： | pzt zno 薄膜 | ||
【主权项】：
一种PZT‑ZnO薄膜，其特征在于，基底上先利用射频磁控溅射法制备ZnO薄膜，然后在掺杂ZnO薄膜上制备PZT薄膜，低温烧结后得到CNT‑ZnO透明导电复合薄膜，具体包括以下步骤：步骤1：将基底依次用洗洁精水溶液、碱水溶液、酸溶液、无水乙醇和去离子水清洗干净；步骤2：将无水醋酸锌、六水氯化铝、乙醇胺和乙二醇甲醚在60℃搅拌混合均匀后再在室温下陈化12h得到溶胶A；步骤3：醋酸铅、硝酸氧锆以及钛酸丁酯在60℃搅拌混合均匀后得到溶胶B；步骤4：将步骤2得到的溶胶A采用射频磁控溅射步骤1清洗得到的基底上6h得到薄膜，再将薄膜进行热处理，热处理温度为600℃，保温时间15min，然后自然冷却得到掺杂ZnO薄膜；步骤5：将步骤3得到的溶液B涂布到步骤4得到的掺杂ZnO薄膜上得到薄膜，再将薄膜进行热处理，空热处理温度为600℃，保温时间15min，得到掺杂PZT‑ZnO薄膜。
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