[发明专利]烧结稀土永磁体的制造方法在审

专利信息
申请号: 201510970835.4 申请日: 2015-12-22
公开(公告)号: CN106910611A 公开(公告)日: 2017-06-30
发明(设计)人: 李志学;李绍芳 申请(专利权)人: 天津三环乐喜新材料有限公司;北京中科三环高技术股份有限公司
主分类号: H01F41/02 分类号: H01F41/02;H01F1/057;C23C14/32;C23C14/58
代理公司: 北京航忱知识产权代理事务所(普通合伙)11377 代理人: 陈立航
地址: 300457 天津市塘*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 一种烧结稀土永磁体的制造方法,包括制备钕铁硼磁片;使用RxTy材料制备靶材,R为Nd、Pr、Dy、Tb、Ho、Er、Tm中的一种或多种,T为过渡族元素、Al、Ga中的一种或多种,x和y是重量百分含量,0<x≤1,0≤y<1;将磁片装载到连续多弧离子镀镀膜炉中,其中,镀膜炉包括第一炉门和第二炉门,每个炉门具有挂料架,将磁片装载在第一炉门的挂料架上,然后关闭第一炉门进行后续步骤,在进行后续步骤的同时将磁片装载在第二炉门的挂料架上;将镀膜炉内部抽真空,然后通入保护气体;对磁片进行预热;接通弧光电源,在镀膜炉的引弧钩与靶材之间产生弧光放电,从而对磁片进行镀膜;对磁片进行第一级和第二级保温处理。
搜索关键词: 烧结 稀土 永磁体 制造 方法
【主权项】:
一种烧结稀土永磁体的制造方法,包括:步骤一:制备钕铁硼磁片;步骤二:使用RxTy材料制备靶材,R为Nd、Pr、Dy、Tb、Ho、Er、Tm中的一种或多种,T为过渡族元素、Al、Ga中的一种或多种,x和y是重量百分含量,0<x≤1,0≤y<1;步骤三:将磁片装载到连续多弧离子镀镀膜炉中,其中,镀膜炉包括第一炉门和第二炉门,每个炉门具有挂料架,将磁片装载在第一炉门的挂料架上,然后关闭第一炉门进行后续步骤,在进行后续步骤的同时将磁片装载在第二炉门的挂料架上;步骤四:将镀膜炉内部抽真空,然后通入保护气体;步骤五:对磁片进行预热;步骤六:接通弧光电源,在镀膜炉的引弧钩与靶材之间产生弧光放电,从而对磁片进行镀膜;步骤七:对磁片进行第一级保温处理和第二级保温处理。
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