[发明专利]肖特基二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201510971913.2 | 申请日： | 2015-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN105576014B | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/47;H01L29/66;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种肖特基二极管，包括金半接触结和位于所述金半接触结周侧的PN结；金半接触结的N型区由位于场氧的底部的N型掺杂区组成；金半接触结的金属形成于场氧去除后的N型掺杂区表面。PN结的P型区形成于金半接触结周侧的有源区中，组成金半接触结的N型区的N型掺杂区同时延伸到有源区中组成PN结的N型区；PN结的P型区的底部区域还延伸到场氧的底部并且金半接触结相交叠。本发明还公开了一种肖特基二极管的制造方法。本发明能提高金半接触结性能的稳定性，提高器件的击穿电压，减少器件的反向漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基二极管的制造方法，其特征在于，肖特基二极管包括金半接触结和位于所述金半接触结周侧的PN结,包括如下步骤：步骤一、提供一半导体衬底，在所述半导体衬底中形成N型掺杂区；步骤二、在所述半导体衬底上形成场氧，由所述场氧隔离出有源区，所述N型掺杂区位于所述场氧底部且延伸到所述有源区中；步骤三、进行P型离子注入在所述有源区中形成所述PN结的P型区，所述有源区中的所述N型掺杂区将所述PN结的P型区包围并组成所述PN结的N型区；步骤四、采用光刻刻蚀工艺将所述场氧的位于所述金半接触结区域的部分去除并露出底部的所述N型掺杂区的表面；步骤五、在所述金半接触结区域的所述N型掺杂区表面形成金属并由该金属组成所述金半接触结的金属；所述金半接触结的N型区由位于所述场氧的底部的所述N型掺杂区组成；所述PN结的P型区的底部区域还延伸到所述场氧的底部并且所述金半接触结相交叠。
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