[发明专利]半导体元件及其形成方法

摘要

本发明公开一种半导体元件及其形成方法。其中，该半导体元件包含基底、第一栅极以及第二栅极。该第一栅极是设置在该基底之上，并且包含第一间隙壁以及依序堆叠于该基底上的栅极绝缘层、多晶硅层、第一金属硅化物层以及帽盖层，该第一间隙壁环绕该栅极绝缘层、该多晶硅层、该第一金属硅化物层以及该帽盖层。该第二栅极同样是设置在该基底之上，并且包含第二间隙壁以及依序堆叠于该基底上的高介电常数介电层、功函数金属层以及导电层。该第二间隙壁环绕该高介电常数介电层、该功函数金属层以及该导电层。

主权项

一种半导体元件，其特征在于包含：基底；第一栅极，设置在该基底之上，该第一栅极包含：依序堆叠于该基底上的一栅极绝缘层、一多晶硅层、一第一金属硅化物层以及一帽盖层；以及第一间隙壁，环绕该栅极绝缘层、该多晶硅层、该第一金属硅化物层以及该帽盖层；以及第二栅极，设置在该基底之上，该第二栅极包含：依序堆叠于该基底上的一高介电常数介电层、一功函数金属层以及一导电层；以及第二间隙壁，环绕该高介电常数介电层、该功函数金属层以及该导电层。