[发明专利]一种碳化硅低压压敏陶瓷及其固相烧结制备方法在审
| 申请号： | 201510974806.5 | 申请日： | 2015-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN105565813A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 陈健;黄政仁;刘学建;陈忠明;姚秀敏;杨勇;朱云洲;杨金晶 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/64;C04B35/634 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳化硅低压压敏陶瓷及其固相烧结制备方法，所述碳化硅低压压敏陶瓷由碳化硅和固相烧结过程中原位复合的碳组成，所述碳在所述碳化硅低压压敏陶瓷的重量百分含量为3～6wt%的压敏电压U1mA在1.9Vmm-1～14.8Vmm-1可控，非线性系数α<3。本发明制备的低压SiC压敏陶瓷性能稳定，不易老化，使用寿命长，元件运行可靠，结构紧凑体积小、能容大、时效性良好，元件自身可独立实现较好的均流和均能特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 压压 陶瓷 及其 烧结 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅低压压敏陶瓷，其特征在于，所述碳化硅低压压敏陶瓷由碳化硅和固相烧结过程中原位复合的碳组成，所述碳在所述碳化硅低压压敏陶瓷的重量百分含量为3～6wt%的压敏电压U1mA在1.9Vmm‑1～14.8Vmm‑1可控，非线性系数α<3。
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