[发明专利]一种多层堆叠扇出型封装结构及制备方法在审

专利信息
申请号: 201510976224.0 申请日: 2015-12-22
公开(公告)号: CN105575832A 公开(公告)日: 2016-05-11
发明(设计)人: 陈峰;张文奇 申请(专利权)人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L23/488
代理公司: 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 代理人: 殷红梅;刘海
地址: 214135 江苏省无锡市新区*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种多层堆叠扇出型封装结构及制备方法,包括以下步骤:(1)在承载片上覆盖临时键合薄膜,制作第一种子层和金属柱;(2)去掉露出的第一种子层,将第一芯片贴在临时键合薄膜上,并覆盖第一绝缘树脂,金属柱的顶部露出第一绝缘树脂;(3)在第一芯片背面倒扣第二芯片,第二芯片的导电体与金属柱顶部融合;在第二芯片周围填充第二绝缘树脂;(4)去除承载片、临时键合薄膜和第一种子层,在第一芯片正面制作第三绝缘树脂和第二种子层;(5)在第二种子层上面形成导电线路,导电线路上面制作第四绝缘树脂;(6)制作金属球。本发明能够降低制作成本,提高芯片的对准精度,降低了封装产品的高度。
搜索关键词: 一种 多层 堆叠 扇出型 封装 结构 制备 方法
【主权项】:
 一种多层堆叠扇出型封装结构的制备方法,其特征是,包括以下步骤:(1)承载片(101)作为基底材料,在承载片(101)上覆盖临时键合薄膜(102);(2)在临时键合薄膜(102)上面形成第一种子层(103),在第一种子层(103)上面形成金属柱(104);(3)去掉露出的第一种子层(103),将第一芯片(105)的焊盘(106)一面贴在临时键合薄膜(102)上,在第一芯片(105)周围填充第一绝缘树脂(107);所述第一绝缘树脂(107)将临时键合薄膜(102)和第一芯片(105)包裹住,金属柱(104)的顶部露出;(4)在第一芯片(105)背面倒扣第二芯片(1051),第二芯片(1051)的导电体(108)与金属柱(104)顶部融合;在第二芯片(1051)周围填充第二绝缘树脂(1071);(5)去除承载片(101)、临时键合薄膜(102)和第一种子层(103),露出第一芯片(105)和金属柱(104);在第一芯片(105)正面涂覆第三绝缘树脂(109),在第三绝缘树脂(109)表面开口,露出金属柱(104)和第一芯片(105)的焊盘(106);在金属柱(104)和焊盘(106)表面形成第二种子层(110);(6)在第二种子层(110)上面形成导电线路(111),导电线路(111)分别与金属柱(104)和第一芯片(105)的焊盘(106)连接;在导电线路(111)上面覆盖第四绝缘树脂(112),第四绝缘树脂(112)将导电线路(111)和第三绝缘树脂(109)覆盖,在第四绝缘树脂(112)表面形成开口,露出导电线路(111);(7)在第四绝缘树脂(112)的开口处形成金属球(113),金属球(113)分别与第一芯片(105)的焊盘(106)和金属柱(104)导通。
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