[发明专利]一种掩膜板及其制备方法有效
申请号: | 201510976247.1 | 申请日: | 2015-12-23 |
公开(公告)号: | CN105425537B | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | 祝晓钊;王徐亮;甘帅燕;朱修剑 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | G03F1/50 | 分类号: | G03F1/50;G03F1/80 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 彭秀丽 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明所述的一种掩膜板,包括层叠设置的骨架层、粘合剂层以及石墨烯层;骨架层、粘合剂层、石墨烯层中分别开设有若干贯通的第一开口、第二开口、第三开口;第一开口、第二开口、第三开口在垂直于掩膜板所在平面方向上贯通设置。石墨烯层通过粘合剂层粘附在骨架层上,质量轻、强度大、原料成本低,使用及清洗过程中不易损坏,有效降低了掩膜板的使用成本。掩膜板的开口大小由第三开口控制,开口面积大、定位精确、分辨率高。本发明所述的掩膜板的制备方法,石墨烯层通过压合工艺形成在粘合剂层上,第一开口通过刻蚀工艺或者电铸工艺形成,第二开口通过光刻工艺形成,工艺简单、精度要求低,有效降低了生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 掩膜板 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种掩膜板,其特征在于,包括层叠设置的骨架层(1)、粘合剂层(2)以及石墨烯层(3);所述骨架层(1)中开设有若干贯通的第一开口(4),所述粘合剂层(2)中开设有若干贯通的第二开口(5),所述石墨烯层(3)中开设有若干贯通的第三开口(6);所述第一开口(4)、所述第二开口(5)、所述第三开口(6)在垂直于所述掩膜板所在平面方向上贯通设置,所述第一开口(4)的开口面积大于等于所述第二开口(5)的开口面积,所述第二开口(5)的开口面积大于所述第三开口(6)的开口面积。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山国显光电有限公司,未经昆山国显光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510976247.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备