[发明专利]一种介电层及互连结构的制作方法、半导体器件有效
| 申请号： | 201510976482.9 | 申请日： | 2015-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN106910710B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种介电层及互连结构的制作方法、半导体器件，包括：提供基底，在所述基底上依次沉积形成初始层、过渡层和第一主体超低k介电层；在所述第一主体超低k介电层上沉积形成终止层，包括步骤：采用有机硅烷和氧化剂作为前驱体，通过等离子体化学气相沉积工艺进行所述中间终止层的沉积，且在沉积过程中将有机硅烷的流量逐渐减小到零，当有机硅烷的流量减小到零后，继续通入预定时间的所述氧化剂，以进行等离子体处理；在所述中间终止层上沉积形成第二主体超低k介电层。根据本发明的制作方法，形成的介电层具有非常低的介电常数为超低k介电层，其使得超低k介电层和扩散阻挡层之间的界面具有良好的粗糙度，且容易控制沟槽的刻蚀深度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介电层 互连 结构 制作方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种介电层的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤S1：提供基底，在所述基底上依次沉积形成初始层、过渡层和第一主体超低k介电层；步骤S2：在所述第一主体超低k介电层上沉积形成中间终止层，包括步骤：采用有机硅烷和氧化剂作为前驱体，通过等离子体化学气相沉积工艺进行所述中间终止层的沉积，且在沉积过程中将有机硅烷的流量逐渐减小到零，当有机硅烷的流量减小到零后，继续通入预定时间的所述氧化剂，以进行等离子体处理；步骤S3：在所述中间终止层上沉积形成第二主体超低k介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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