[发明专利]一种改善光刻胶脱落的方法

摘要

本发明公开了一种改善光刻胶脱落的方法，该方法是在衬底表面用氯化铯纳米岛自组装技术制备出合适尺寸及高度的纳米柱阵列，旋涂光刻胶后水平静置20分钟，让光刻胶充分嵌入纳米柱阵列之间。这种方法可以有效增加光刻胶与衬底的粘附力，适用于制备厚度较高、尺寸较小的光刻胶图形，特别是孤立光刻胶图形。

主权项

1.一种改善光刻胶脱落的方法，其特征在于，该方法首先在衬底表面采用氯化铯纳米岛自组装技术制备出一定尺寸及高度的纳米柱阵列，然后在表面具有纳米柱阵列的衬底之上旋涂光刻胶，并水平静置一段时间，使光刻胶充分嵌入纳米阵列之间；其中，所述一定尺寸及高度的纳米柱阵列，其直径为50‑1500纳米，高度为0.2‑3微米；所述纳米柱阵列的高度是根据所制备的光刻胶图形的具体厚度来选择的，若所要制备的光刻胶厚度大于20微米，纳米柱阵列的高度应大于2微米；若所要制备的光刻胶厚度为10微米，纳米柱阵列的高度为1微米即可；所述纳米柱阵列的尺寸是根据所制备的光刻胶图形的具体形貌来选择的，对于宽度在1微米以下的细长结构的光栅，纳米阵列的尺寸要控制在50‑200纳米之间；对于面积较小的孤立光刻胶图形，要保证该光刻胶图形覆盖下不少于50根纳米柱阵列。