[发明专利]一种四氟化硅的制备及纯化方法在审

专利信息
申请号: 201510979401.0 申请日: 2015-12-23
公开(公告)号: CN105502410A 公开(公告)日: 2016-04-20
发明(设计)人: 蒋玉贵;李翔宇;孟祥军;张净普;胡帅;朱文冬;张长金 申请(专利权)人: 中国船舶重工集团公司第七一八研究所
主分类号: C01B33/107 分类号: C01B33/107
代理公司: 北京理工大学专利中心 11120 代理人: 周蜜;仇蕾安
地址: 056027*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明涉及一种四氟化硅的制备及纯化方法,属于氟化工、电子工业气体领域。所述制备方法包括:含硅物质与含氟物质混合反应,制得四氟化硅;纯化方法包括:将待纯化的粗品四氟化硅与纯化用反应物质反应,制得粗品Mm(SiF6)p或Mn(HSiF6)q,然后热分解,得到纯化的四氟化硅。所述制备方法避免使用酸性和腐蚀性液态物质,通过使用含硅物质与含氟物质尤其是气态含氟物质反应制备四氟化硅,引入杂质较少,产物四氟化硅纯度较高,具有安全性高、操作简单、产率高和更经济的优点,可以产生较少的废酸和废渣,对环境污染较小;所述纯化方法可获得高纯度得四氟化硅气体,杂质(SiF3)2O和HF含量极低。
搜索关键词: 一种 氟化 制备 纯化 方法
【主权项】:
一种四氟化硅的制备方法,其特征在于:所述制备方法包括:将含硅物质与含氟物质混合进行反应,制备得到四氟化硅;含硅物质为硅、硅烷、二氧化硅、硅胶、金属硅化物、三氯氢硅、二氯氢硅、一氯氢硅、四氯化硅、溴化硅、碘化硅、氮化硅、碳化硅、硼化硅和硫化硅中的一种以上;含氟物质为三氟化氮、氟气、碳酰氟、三氟化氯和一氟化氯中的一种以上;对于不同的含硅物质和含氟物质,反应压力均为﹣0.09MPa~5MPa,反应温度分别如下:(1)当含硅物质为二氧化硅,含氟物质为三氟化氮时,反应温度为701℃~3999℃;(2)当含硅物质为二氧化硅,含氟物质为氟气时,反应温度为2001℃~3999℃;(3)除(1)和(2)外,其他的含硅物质和含氟物质时,反应温度为﹣49℃~3999℃。
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