[发明专利]一种清晰显示镍基合金奥氏体晶界的金相腐蚀方法在审

专利信息
申请号: 201510980066.6 申请日: 2015-12-23
公开(公告)号: CN106908301A 公开(公告)日: 2017-06-30
发明(设计)人: 孙林根;梅林波;安春香;夏健;刘鹏 申请(专利权)人: 上海电气电站设备有限公司
主分类号: G01N1/32 分类号: G01N1/32;C22C19/03;C23F1/28
代理公司: 上海光华专利事务所31219 代理人: 严晨,许亦琳
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及金相样品制备领域,特别是涉及一种清晰显示镍基合金奥氏体晶界的金相腐蚀方法。本发明提供一种清晰显示镍基合金奥氏体晶界的金相腐蚀方法,包括如下步骤a)研磨;b)抛光;c)腐蚀;d)清洁。本发明所提供的一种清晰显示镍基合金奥氏体晶界的金相腐蚀方法,在光学显微镜下即可观察到清晰的奥氏体晶界,不仅能够更好地显示镍基合金奥氏体晶粒,且实施简单、易于实行。
搜索关键词: 一种 清晰 显示 合金 奥氏体 金相 腐蚀 方法
【主权项】:
一种清晰显示镍基合金奥氏体晶界的金相腐蚀方法,包括如下步骤:a)研磨:将切割好的金相试样的待腐蚀面进行研磨处理,所述金相试样为镍基合金;b)抛光:将步骤a所得试样的待腐蚀面清洗、抛光;c)腐蚀:将步骤b所得试样的待腐蚀面放入腐蚀液中腐蚀,所述腐蚀液包括过氧化氢、盐酸和甲醇;d)清洁:将步骤c所得试样清洗、干燥,并观察试样的奥氏体晶界。
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