[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201510980329.3 | 申请日： | 2015-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN106904568B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 李广宁;沈哲敏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B1/00;H04R31/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供基底，在所述基底上形成有尺寸小于所述基底的功能材料层，以形成台阶形结构，在所述基底上和所述功能材料层的侧壁上形成有顶角变圆的缓冲层；步骤S2：在所述缓冲层和所述功能材料层上形成覆盖层，以覆盖所述功能材料层；步骤S3：在所述覆盖层上交替地形成第一金属层和第二金属层，以形成至少包含4层的金属叠层结构。本发明所述方法具有如下的优点：1)通过添加氧化物OX获得圆化顶角(corner rounding)效果的同时减小上层金属膜的应力，解决了缝隙孔洞(seam void)的问题；2)由于对应力有所改变，也降低了后续可能造成的分层问题；3)对于后续制程没有带来其他的副作用。 | ||
| 搜索关键词： | 功能材料层 基底 电子装置 覆盖层 缓冲层 顶角 制备 第二金属层 第一金属层 台阶形结构 添加氧化物 缝隙孔洞 金属叠层 金属膜 侧壁 分层 减小 圆化 制程 上层 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS器件的制备方法，包括：步骤S1：提供基底，在所述基底上形成有尺寸小于所述基底的功能材料层，以形成台阶形结构，在所述基底上和所述功能材料层的侧壁上形成有顶角变圆的缓冲层；步骤S2：在所述缓冲层和所述功能材料层上形成覆盖层，以覆盖所述功能材料层；步骤S3：在所述覆盖层上交替地形成第一金属层和第二金属层，以形成至少包含4层的金属叠层结构，以减小所述金属叠层结构的应力。
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