[发明专利]一种电阻栅薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201510981786.4 | 申请日： | 2015-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN105428419B | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 刘玉荣;姚若河;耿魁伟;韦岗 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L51/05;H01L21/336;H01L21/34;H01L51/40 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电阻栅薄膜晶体管及其制备方法。电阻栅薄膜晶体管包括衬底、过渡层、栅端电极、电阻栅薄膜层、绝缘栅介质层、半导体有源层、源漏电极；所述电阻栅薄膜层位于栅端电极与绝缘栅介质层之间；所述栅端电极位于电阻栅薄膜层下方；所述源漏极在半导体有源层上，且源漏电极两端与两个栅端电极存在交叠区域。本发明可通过两个栅端电极偏压有效调控器件处于不截止、遥截止或锐截止转移特性,可根据实际应用需要获得所需的阈值电压、关态电流和跨导值，两个栅端电极可同时作为控制栅和信号栅使用，使电路得到简化，从而有效扩大了薄膜晶体管的应用范围，能有效地解决阈值电压漂移、大信号堵塞、自动增益控制动态范围窄等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻栅 栅端 电极 薄膜晶体管 薄膜层 半导体有源层 源漏电极 介质层 绝缘栅 截止 制备 自动增益控制 阈值电压漂移 电极偏压 关态电流 交叠区域 信号堵塞 有效调控 转移特性 阈值电压 过渡层 控制栅 信号栅 有效地 源漏极 衬底 应用 电路 | ||
【主权项】：
1.一种电阻栅薄膜晶体管，其特征在于，由下至上依次包括衬底、过渡层、栅端电极、电阻栅薄膜层、绝缘栅介质层、半导体有源层、源漏电极，所述电阻栅薄膜层（4）位于两栅端电极 (301和302) 与绝缘栅介质层（5）之间，电阻栅薄膜层的电阻率低于半导体有源层；所述两栅端电极位于电阻栅薄膜层下方，其连线方向与沟道方向垂直，其结构和功能上是等效的；所述源电极（701）和漏电极（702）制作在垂直于两栅端电极连线的方向，使得源漏电极两端与两个栅端电极构成类#型交叠区域，且源漏电极长度小于两栅端电极宽度与两栅端电极间距的总和；所述电阻栅薄膜层为高掺杂半导体薄膜层；所述高掺杂半导体薄膜的电阻明显低于半导体有源层薄膜的电阻；所述电阻栅薄膜层的厚度为80～120纳米。
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