[发明专利]一种高效SiC晶体扩径方法在审
| 申请号： | 201510982407.3 | 申请日： | 2015-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN105525351A | 公开（公告）日： | 2016-04-27 |
| 发明（设计）人： | 高攀;刘熙;严成锋;忻隽;孔海宽;郑燕青;施尔畏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高效SiC晶体扩径方法，在籽晶托上固定由小尺寸籽晶拼接而成的大尺寸籽晶，采用物理气相传输生长方法生长大尺寸碳化硅晶体。本发明将小尺寸籽晶拼接为大尺寸籽晶，由此易于获得大尺寸（例如4英寸以上）的碳化硅籽晶，从而可以高效地扩大碳化硅晶体直径，获得大尺寸碳化硅晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高效 sic 晶体 方法 | ||
【主权项】：
一种高效扩大碳化硅晶体直径的方法，其特征在于，在籽晶托上固定由小尺寸籽晶拼接而成的大尺寸籽晶，采用物理气相传输生长方法生长大尺寸碳化硅晶体。
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