[发明专利]改善刻蚀对称性的等离子处理装置及调节方法有效

专利信息
申请号: 201510982821.4 申请日: 2015-12-24
公开(公告)号: CN106920724B 公开(公告)日: 2019-05-03
发明(设计)人: 吴磊;梁洁;叶如彬;浦远;杨金全;徐朝阳 申请(专利权)人: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 代理人: 朱成之
地址: 201201 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开一种改善刻蚀对称性的等离子处理装置,该装置包含等离子体反应腔,该等离子体反应腔内底部设有放置晶圆的基座,该基座与等离子体反应腔内壁之间设有限制环,限制环下设有与限制环射频耦合的接地环;接地环与限制环之间设有间隔部件;该间隔部件在限制环整体与接地环之间形成一间隔距离。本发明在限制环与接地环之间设置有间隔部件,增大限制环与接地环之间的间距距离,避免限制环与接地环之间间隙大小的轻微扰动对接触电容产生的极大影响,提高了限制环与接地环之间接触电容的稳定性,改善刻蚀对称性。
搜索关键词: 改善 刻蚀 对称性 等离子 处理 装置 调节 方法
【主权项】:
1.一种改善刻蚀对称性的等离子处理装置,该装置包含等离子体反应腔,该等离子体反应腔内底部设有放置晶圆的基座,该基座与等离子体反应腔内壁之间设有限制环,限制环下设有与限制环射频耦合的接地环;其特征在于,所述接地环与限制环之间设有绝缘材料制成的间隔部件;该间隔部件使限制环整体与接地环之间形成一大于等于0.2毫米的间隔距离。
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