[发明专利]等离子体处理装置及其清洗方法

摘要

本发明涉及一种等离子体处理装置，包含：反应腔室；所述反应腔室内的顶部设有喷淋头，向反应腔室内引入清洁气体；所述喷淋头处设置有第一电极；所述的反应腔室内的底部设有基座；所述基座处设置有第二电极；移动环，其沿反应腔室的侧壁内侧设置；所述移动环内设置有第三电极，该第三电极上施加有高压电源，在该第三电极的附近区域形成局部DBD等离子体，以对位于第三电极附近的部件，包括移动环的表面进行局部增强的等离子体清洗。本发明还涉及等离子体处理装置的清洗方法。本发明针对移动环进行局部增强的DBD等离子体清洗，完全清除其上沉积的聚合物，有效提高反应腔室的稳定性。

主权项

1.一种等离子体处理装置，包含：反应腔室（1）；所述反应腔室（1）内的顶部设有喷淋头（4），向反应腔室（1）内引入清洁气体；所述喷淋头（4）处设置有第一电极；所述反应腔室（1）内的底部设有基座（6）；所述基座（6）处设置有第二电极；其特征在于，该等离子体处理装置还包含：移动环（2），其沿反应腔室（1）的侧壁内侧设置，隔离反应腔室（1）的侧壁；所述移动环（2）内设置有第三电极（10），该第三电极（10）上施加有高压电源（13），在该第三电极（10）的附近区域形成局部DBD等离子体（14），以对位于第三电极（10）附近的部件，包括移动环（2）的表面进行局部增强的等离子体清洗。