[发明专利]一种量子点发光二极管及制备方法、发光模组与显示装置

摘要

本发明公开一种量子点发光二极管及制备方法、发光模组与显示装置，其包括步骤：沉积一复合空穴注入层于ITO基板上；其中，所述复合空穴注入层由纳米氧化物和空穴注入层材料混合制备而成；沉积一空穴传输层于复合空穴注入层上；沉积一量子点发光层于空穴传输层上；依次沉积一电子传输层和一电子注入层于量子点发光层上，最后蒸镀一阴极于电子注入层上，制得QLED器件。本发明将纳米金属氧化物掺入空穴注入层材料，利用无机金属氧化物的稳定性和纳米材料的高的比表面积和空穴注入层材料良好的导电性制备了QLED器件，这种结合既保证QLED器件具有优异的性能，又提高QLED器件稳定性和寿命。

主权项

1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：A、沉积一复合空穴注入层于ITO基板上；其中，所述复合空穴注入层由纳米氧化物和空穴注入层材料混合制备而成；B、沉积一空穴传输层于复合空穴注入层上；C、沉积一量子点发光层于空穴传输层上；D、依次沉积一电子传输层和一电子注入层于量子点发光层上，最后蒸镀一阴极于电子注入层上，制得QLED器件；由纳米氧化物和空穴注入层材料混合制备复合空穴注入层的步骤包括：将金属粉末或金属混合粉末加入到超纯水中，然后加入双氧水和冰醋酸反应，得到包含纳米氧化物的溶液，将所述包含纳米氧化物的溶液与空穴注入层材料混合制备得到所述复合空穴注入层。