[发明专利]一种半导体器件制作光刻对准方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件制作光刻对准方法，用于半导体器件制作过程中，当工艺对准层或光刻对准标记不清晰，但基底层具有凹凸型台阶结构的光刻对准标记时对工艺对准层进行光刻对准。半导体器件制作光刻对准方法包括：在基底层上形成工艺对准层之后，对工艺对准层进行匀光刻胶之前，在工艺对准层上形成二次对准标记的步骤。本发明能够解决现有半导体器件制作工艺由于半导体器件制成结构复杂以致很多层在曝光时标记变得不清晰难以识别的技术问题，能优化具有台阶但难以识别的标记信号，而且实施步骤简单易行。

主权项

1.一种半导体器件制作光刻对准方法，其特征在于，所述方法用于半导体器件制作过程中，当工艺对准层（3）或光刻对准标记（1）不清晰，但基底层（2）具有凹凸型台阶结构的光刻对准标记（1）时对所述工艺对准层（3）进行光刻对准，所述方法包括：在基底层（2）上形成工艺对准层（3）之后，对所述工艺对准层（3）进行匀光刻胶（6）之前，在所述工艺对准层（3）上形成二次对准标记（4）的步骤；所述方法包括以下步骤：S101：在所述工艺对准层（3）的标记区域滴匀或淀积形成标记物质（5）；S102：去除部分的标记物质（5），使得只有标记区域的凹型区具有该标记物质（5），以形成所述二次对准标记（4）；S103：在前述步骤的基础上，对所述工艺对准层（3）进行匀光刻胶（6）处理；S104：利用所述二次对准标记（4）进行对准，再对所述光刻胶（6）进行曝光；所述标记物质（5）为液体物质，所述标记物质（5）包括以下性质：所述标记物质（5）能挥发或能被显影液去除，但在所述光刻胶（6）的覆盖下不能挥发，涂覆所述标记物质（5），经过调试使得只有所述标记区域的凹型区具有所述标记物质（5），以避免曝光对准时所述标记物质（5）不能起到识别作用；在显影后位于无光刻胶（6）区域的所述标记物质（5）能自动挥发掉或能被显影液去除，以避免影响所述光刻胶（6）的解析图案和所述半导体器件的性能；所述标记物质（5）与所述工艺对准层（3）之间具有足够的对比，使得机台能够识别所述标记物质（5）。