[发明专利]一种半导体发光二极管芯片在审
| 申请号： | 201510985445.4 | 申请日： | 2015-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN105449060A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 闫其昂;王明洋;戴俊;李志聪;孙一军;王国宏;邱斌 | 申请（专利权）人： | 扬州中科半导体照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/32;H01L33/36 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体发光二极管芯片，属于半导体技术领域，在两层第一导电类型半导体层之间设置二维电子气层，在两层第二导电类型半导体层之间设置二维空穴气层，第一电极与两层第一导电类型半导体层和二维电子气层分别连接，第二电极与两层第二导电类型半导体层和二维空穴气层分别连接。在第二导电类型半导体层上无需设置透明导电材料氧化铟锡ITO电流扩展层，其生产工艺简单。本发明形成高横向电流扩展及低工作电压发光二极管，通过电极和高载流子导电通道相连形成高载流子注入，降低欧姆接触电阻和LED工作电压；同时增强载流子扩展能力，提高载流子的注入效率，有效提高发光均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种半导体发光二极管芯片，包括第一导电类型半导体层、发光层、电子阻挡层、第二导电类型半导体层、第一电极和第二电极；其特征在于所述第一导电类型半导体层为两层，在两层第一导电类型半导体层之间设置二维电子气层；所述第二导电类型半导体层为两层，在两层第二导电类型半导体层之间设置二维空穴气层；第一电极与两层第一导电类型半导体层和二维电子气层分别连接，第二电极与两层第二导电类型半导体层和二维空穴气层分别连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州中科半导体照明有限公司，未经扬州中科半导体照明有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510985445.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
