[发明专利]一种用于半导体晶片剥去光刻胶装置在审
| 申请号： | 201510985459.6 | 申请日： | 2015-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN106919010A | 公开（公告）日： | 2017-07-04 |
| 发明（设计）人： | 吴狄;何乃明;倪图强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙)31249 | 代理人： | 张静洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于半导体晶片剥去光刻胶装置，在处理腔上方设置加热器，将处理腔与真空进样腔连接，同时确保传输腔能够分别与处理腔、真空进样腔及刻蚀腔相互贯通，实现晶片的传递。本发明提供的用于半导体晶片剥去光刻胶装置能够避免浪费晶片转移的时间，提高晶片的生产量。本发明中，在进行晶片去光刻胶处理时，在处理腔上方设置加热器，由于晶片表面积较小，采用灯加热器直接加热晶片表面能够有效地实现去光刻胶处理，同时节约能源。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体 晶片 剥去 光刻 装置 | ||
【主权项】：
一种用于半导体晶片剥去光刻胶装置，包含支撑架；其特征在于，该装置还包含：至少一个处理腔，设置在所述支撑架上；至少一个真空进样腔，与所述至少一个处理腔连接；至少一个加热器，设置在对应所述至少一个处理腔的上方，所述至少一个加热器为辐射加热器；至少一个刻蚀腔，设置在所述支撑架上；传输腔，设置在所述支撑架上，并使得晶片在所述至少一个处理腔、所述至少一个真空进样腔及所述至少一个刻蚀腔之间传输。
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