[发明专利]一种M2型单晶硅放肩方法在审
| 申请号： | 201510985933.5 | 申请日： | 2015-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN105483818A | 公开（公告）日： | 2016-04-13 |
| 发明（设计）人： | 王会敏;何京辉;曹祥瑞;颜超;陈二星;程志;周子江;刘钦 | 申请（专利权）人： | 邢台晶龙电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 黄辉本 |
| 地址： | 054001 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种M2型单晶硅放肩方法，涉及单晶硅生产技术领域,在引细颈工艺完成后，籽晶拉速降低，温控器加热功率由额定功率分步逐降，依次经过五次降温步骤后，完成放肩工艺过程，硅棒直径达规定尺寸即可进入下一个工序转肩。通过上述工艺方法完成的放肩工序，放肩由原来需要210分钟-240分钟才能完成缩短为120min-150min内完成，可节省90分钟时间，同时也提高了成功率，成功率可提高40-45%。本发明具有操作简单方便的优点，可有效缩短单晶硅棒放肩时间，提高单晶硅棒生产效率及成功率，便于推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 m2 单晶硅 方法 | ||
【主权项】：
一种M2型单晶硅放肩方法，其特征在于：引细颈工艺完成后，温控器功率达到额定功率，籽晶拉速降至0.65‑0.75mm/min，单晶炉加热功率分步逐降，包括以下步骤：（一）温控器功率第一次降低额定功率的0.055‰，使炉内温度降温趋势稳定，进行第一次降温；（二）温控器功率继续降低额定功率的0.11‰，使炉内温度逐步变低，进行第二次降温；（三）温控器功率继续降低额定功率的0.11‰，通过电脑控制炉温自动递减降温，进行第三次降温；（四）第三次降温后，肩部直径达到65mm，温控器功率继续降低0.055‰，进行第四次降温；（五）第四次降温后，肩部直径达到110mm，温控器功率继续降低额定功率的0.11‰，1进行第五次降温；（六）第五次降温后，肩部直径达到190mm，温控器功率继续降低额定功率的0.11‰，同时给定埚升0.100mm/min，进行第六次降温；（七）待硅棒直径达规定尺寸210～214mm时可进入下一个工序转肩。
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