[发明专利]一种在原位还原碳化钨时自生长石墨烯的方法

摘要

一种在原位还原碳化钨时自生长石墨烯的方法，属于钨基和碳基纳米材料技术领域。本发明通过将现有制备石墨烯的水平基底变成由大量纳米颗粒组成的钨源前驱体基底，通过钨源前驱体在碳化过程中的碳溶解过程，实现钨源前驱体在转化成碳化钨后的继续溶碳，由于碳化钨对碳的固溶量较低，通过控制反应系统中碳量的控制，使其在碳化钨表面实现吸附与析出生长石墨烯。本发明的装置简便，原料简单易得，成本低廉，对环境无污染；采用在惰性气体保护通入碳源，无明显易燃危险原料；产物易于处理，收率高，设备简单，可以半连续化操作，适于大量生产。

主权项

1.一种在原位还原碳化钨时自生长石墨烯的方法，其特征在于：先将固态钨源置于高温反应区，同时以乙醇/甲醇溶液作为碳源，以惰性气体作为保护气体及载气把碳源快速带入高温反应区，在反应区，碳源分解出的碳原子使钨源发生碳化还原反应，生成碳化钨；具有微量碳源溶解能力的碳化钨此时开始溶碳，随着后续反应系统的温度降低，溶入基体中的部分碳源在碳化钨表面析出而得到片层数为2‑8层的石墨烯；所述固态钨源为纳米钨酸粉或纳米氧化钨粉；所述乙醇/甲醇溶液中的乙醇溶液与甲醇溶液的体积比为5：95。