[发明专利]一种降低GaN器件漏电流的方法在审
| 申请号： | 201510986520.9 | 申请日： | 2015-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN105428235A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 王敬轩;王永维;王勇 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/316 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 黄辉本 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低GaN器件漏电流的方法，涉及GaN功率半导体器件领域。制备步骤：（a）对GaN基片的表面进行清洗处理；（b）台面光刻与注入隔离；（c）在GaN基片表面上生长一层高介电常数介质材料层；（d）在淀积的高介电常数介质材料层表面上生长一层复合介质材料层；（e）淀积完后进行退火；（f）光刻形成源漏电极区，刻蚀出源漏电极通孔，淀积金属形成源漏电极；（g）高温退火形成源漏电极欧姆接触；（h）光刻形成栅极区，刻蚀出栅极槽，淀积金属形成栅电极。该方法可提高GaN器件的性能和可靠性，进而使GaN器件可在高压大功率电力电子领域得到更广泛的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 gan 器件 漏电 方法 | ||
【主权项】：
一种降低GaN器件漏电流的方法，其特征在于：包括以下制备步骤：（a）对GaN基片的表面进行清洗处理；（b）通过台面光刻形成注入区（5），并对注入区（5）注入隔离；（c）在处理好的GaN基片表面上生长一层高介电常数介质材料层（6）；（d）在淀积的高介电常数介质材料层（6）表面上生长一层复合介质材料层（7）；（e）复合介质材料层（7）淀积完后进行退火；（f）光刻形成源漏电极区，刻蚀复合介质材料层（7）和高介电常数介质材料层（6），刻蚀出源漏电极通孔，淀积金属形成源漏电极（8）；（g）高温退火形成源漏电极欧姆接触；（h）光刻形成栅极区，并刻蚀复合介质材料层（7），刻蚀出栅极槽，淀积金属形成栅电极（9）。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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