[发明专利]提高GLSI硅通孔碱性CMP中铜膜厚度一致性的方法在审
| 申请号： | 201510987683.9 | 申请日： | 2015-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN105598825A | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 刘玉岭;刘俊杰;檀柏梅 | 申请（专利权）人： | 天津晶岭微电子材料有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;C09G1/02 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人： | 杨红 |
| 地址： | 300130 天津市滨海新*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高GLSI硅通孔碱性CMP中铜膜厚度一致性的方法，具体步骤如下：测量抛光片的初始铜膜厚度，选择抛光垫；调整FA/O抛光液的流速150—300mL/min、抛光机的工作压力12kPa-40kPa、抛光头的转速30rpm—120rpm和抛光盘的转速30pm-120rpm，抛光时间60s-300s，开始抛光；在抛光结束后将抛光片取出，清洗干净，选取多个测试点测量抛光后的剩余铜膜厚度，用抛光前后的铜膜厚度差换算出抛光速率，有益效果：在FA/O表面活性剂与抛光头/抛光盘转速的协同作用下提高了抛光片表面质量传递与温度均匀性，从而控制铜膜的一致性，可以使片内非均匀性降至3％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 glsi 硅通孔 碱性 cmp 中铜膜 厚度 一致性 方法 | ||
【主权项】：
一种提高GLSI硅通孔碱性CMP中铜膜厚度一致性的方法，其特征是：具体步骤如下：一、测量抛光片的初始铜膜厚度，选择抛光垫并用修整器修整，修整时间为60s；二、调整FA/O抛光液的流速150—300mL/min、抛光机的工作压力12kPa‑40kPa、抛光头的转速30rpm—120rpm和抛光盘的转速30pm‑120rpm，抛光时间60s‑300s，开始抛光；三、在抛光结束后将抛光片取出，清洗干净，选取多个测试点测量抛光后的剩余铜膜厚度，用抛光前后的铜膜厚度差换算出抛光速率，考察速率一致性，铜镀膜去除速率一致性通过片内非均匀性表示，片内非均匀性越小说明去除速率一致性越好，即抛光后铜膜厚度一致性越好。
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