[发明专利]一种稀土掺杂正磷酸盐晶体的助熔剂法生长装置及方法在审

专利信息
申请号: 201510989252.6 申请日: 2015-12-25
公开(公告)号: CN105525348A 公开(公告)日: 2016-04-27
发明(设计)人: 滕冰;钟德高;张世明;姜学军;孔伟金;杨利廷;于萌华;景贺琳 申请(专利权)人: 青岛大学
主分类号: C30B29/14 分类号: C30B29/14;C30B9/12
代理公司: 青岛高晓专利事务所 37104 代理人: 黄晓敏
地址: 266071 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明属于单晶生长技术领域,涉及一种适用于助熔剂法单晶生长的装置,特别是一种稀土掺杂正磷酸盐晶体的助熔剂法生长装置及方法,先将氧化铅和氟化铅混合后压制成圆柱形块状结构得到助熔剂,再将YbPO4和YPO4的混合物放置于内壁的底部并压实,在混合物上面放置助熔剂;然后将上盖拧盖在外壁上密封后将生长装置放置于加热炉内,调节加热炉的温度,先升温至800℃,再依次降温至750℃、700℃、600℃、500℃和室温,晶体生长结束,其采用的装置结构简单,操作方便,成本低,能耗少,能将晶体生长温度降低400℃,减少能源损耗,生长出的晶体尺寸和质量高,减少有毒物质的排放,环境友好。
搜索关键词: 一种 稀土 掺杂 磷酸盐 晶体 熔剂 生长 装置 方法
【主权项】:
一种稀土掺杂正磷酸盐晶体的助熔剂法生长装置,其特征在于主体结构包括上盖、螺纹、外壁和内壁;采用铂金材料制成的外壁为圆柱形,外壁的高度为其半径的2.5倍,厚度为其半径的0.1倍;外壁与内壁为一体结构,内壁的底部为半球体结构;外壁的顶部设有螺纹,上盖通过螺纹拧在外壁上密封整个装置。
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