[发明专利]石墨热场表面制备SiC/Si/Si3N4涂层的方法

摘要

本发明公开了一种石墨热场表面制备SiC/Si/Si₃N₄复合涂层的方法，包括：（1）以石墨发热体加热炉体作为沉积炉，将其抽真空，真空度达到100Pa以下；（2）将石墨发热体加热炉内温度升高至900～1200℃；（3）以四氯化硅作为硅源，通过挥发出的四氯化硅气体带入石墨发热体加热炉腔内，流量为10～60ml/min，同时以氢气为反应气，氩气作为稀释气体，保持加热炉腔内压力为1×10²～10⁵Pa，沉积10～30h；（4）将石墨发热体加热炉内温度升高至1250-1600℃；（5）向炉内通入氮气，流量为100～1000ml/min，保温5-10h，冷却降温后，石墨热场材料表面出现SiC/Si/Si₃N₄复合涂层。本发明制备SiC涂层质量好，涂层制备过程不需要专用化学气相沉积设备，成本低，涂层厚度大且灵活可控且易于清理。

主权项

一种石墨热场表面制备SiC/Si/Si₃N₄复合涂层的方法，其特征在于包括下述顺序的步骤：（1）以石墨发热体加热炉体作为沉积炉，将其抽真空，真空度达到100Pa以下；（2）将石墨发热体加热炉内温度升高至900～1200℃，升温速率为8～12℃/min；（3）以四氯化硅作为硅源，通过四氯化硅溶液挥发出的四氯化硅气体带入石墨发热体加热炉腔内，气体流量根据炉体尺寸调节，流量为10～60ml/min，同时以氢气为反应气，流量为100～1000ml/min，氩气作为稀释气体，流量为100～1000ml/min，保持加热炉腔内压力为1×10²～10⁵Pa，沉积10～30h;（4）将石墨发热体加热炉内温度升高至1250‑1600℃，升温速率为1～5℃/min；（5）向炉内通入氮气，流量为100～1000ml/min，保温5‑10h，冷却降温后，石墨热场材料表面出现SiC/Si/Si₃N₄复合涂层。