[发明专利]具桥接结构的半导体封装构造及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201510991083.X 申请日: 2013-05-08
公开(公告)号: CN105374793A 公开(公告)日: 2016-03-02
发明(设计)人: 叶昶麟;洪志斌;叶勇谊;高仁杰;胡智裕;古顺延 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/528;H01L21/60
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 林斯凯
地址: 中国台湾高雄*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种具桥接结构的半导体封装构造及其制造方法。所述半导体封装构造包含:一基板;一第一半导体连接件,电性连接所述基板;至少一第二半导体连接件,电性连接所述基板且间隔设于所述第一半导体连接件旁;一第一芯片,桥接所述第一半导体连接件与第二半导体连接件,使得所述第一半导体连接件通过所述第一芯片的一有源电路层电性连接所述第二半导体连接件。所述半导体封装结构使用相邻的两个半导体连接件取代单一中介层可强化结构,避免翘曲,还可提升电性特性。
搜索关键词: 具桥接 结构 半导体 封装 构造 及其 制造 方法
【主权项】:
一种具桥接结构的半导体封装构造,其特征在于:其包含:一基板;一第一线路连接件,设置在所述基板上方且电性连接所述基板;一第二线路连接件,设置在所述基板上方且电性连接所述基板,其中所述第二线路连接件系间隔设于所述第一线路连接件旁;一第一芯片,桥接所述第一线路连接件与第二线路连接件,使得所述第一线路连接件通过所述第一芯片的一有源电路层电性连接所述第二线路连接件;以及一第二芯片,设置于所述第二线路连接件,使得所述第一芯片通过所述第二线路连接件电性连接所述第二芯片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司,未经日月光半导体制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510991083.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top