[发明专利]利用片状REBCO单晶生长REBCO准单晶的方法在审
| 申请号： | 201510992043.7 | 申请日： | 2015-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN105420811A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 姚忻;相辉;崔祥祥;钱俊;刘艳;潘彬 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B11/14 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 程玲 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种利用片状REBCO单晶生长REBCO准单晶的方法，包括如下工序：a)制备RE123相的粉末；b)使用片状REBCO晶体作为籽晶，按RE123+(0.3～1.5)wt％CeO2的配比制备嵌入式籽晶的前驱体；c)将所述嵌入式籽晶的前驱体置于生长炉中进行熔融织构法生长准单晶；其中，所述片状REBCO晶体是通过沿a-b面解离REBCO单晶而获得；所述片状REBCO晶体沿c轴方向的厚度为0.05mm～2mm，沿a-b面的尺寸为2mm×2mm～10mm×10mm。本发明提供一种低成本、制备简单、成品率高的REBCO籽晶材料，基于熔融织构法制备生长REBCO高温超导准单晶，以满足科研和实际工业化生产的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 片状 rebco 生长 准单晶 方法 | ||
【主权项】：
一种利用片状REBCO单晶生长REBCO准单晶的方法，包括如下工序：a)制备RE123相的粉末；b)使用片状REBCO晶体作为籽晶，按RE123+(0.3～1.5)wt％CeO2的配比制备嵌入式籽晶的前驱体；c)将所述嵌入式籽晶的前驱体置于生长炉中进行熔融织构法生长准单晶；其特征在于，所述片状REBCO晶体是通过沿a‑b面解离REBCO单晶而获得；所述片状REBCO晶体沿c轴方向的厚度为0.05mm～2mm，沿a‑b面的尺寸为2mm×2mm～10mm×10mm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学，未经上海交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510992043.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种从籽晶托上剥离碳化硅籽晶的方法
- 下一篇：电泳涂装工艺的电泳槽
