[发明专利]一种NandFlash的编程方法

摘要

本发明公开了一种Nand Flash的编程方法，包括对编程页施加编程电压；当满足第1状态编程验证启动条件后启动第1状态编程验证；设置m＝1，m为所述Nand Flash的编程状态序号，1≤m≤M，M＝2n-1，n为Nand Flash存储单元具有的比特位；基于第m状态的扫描结果判定是否启动第m+1状态编程验证，如果满足则启动第m+1状态的编程验证并扫描处于第m+1状态的存储单元；然后依据上述步骤循环判定是否启动相应编程状态的编程验证，直至m≥2n-1且第m状态达到最大验证次数，停止编程验证的判定并结束编程操作。利用该方法，可以大大降低整个编程操作的时间消耗，很大程度的提高编程速度，同时也避免了编程操作时峰值电流和功耗产生影响。

主权项

一种Nand Flash的编程方法，其特征在于，包括：S101、对编程页施加编程电压，如果达到启动第1状态编程验证的验证条件，则启动第1状态的编程验证并扫描处于第1状态的存储单元；S102、设置m＝1，其中，m为所述Nand Flash的编程状态序号，1≤m≤M，M＝2n‑1，n为Nand Flash存储单元具有的比特位；S103、判定m<2n‑1是否成立，若是，则执行步骤S104；若否，则执行步骤S106；S104、如果第m状态的扫描结果达到启动第m+1状态编程验证的设定值，则设置m＝m+1，启动第m状态的编程验证并扫描处于第m状态的存储单元，之后返回步骤S103；若否，则执行步骤S105；S105、以设定电压增量值抬升所述当前编程电压，启动第1状态至第m状态的编程验证并扫描处于第m状态的存储单元，之后返回步骤S103；S106、判定第m状态的编程验证次数是否达到最大验证次数，若是，则执行步骤S107；若否，则返回执行步骤S105；S107、如果所述编程页中所有编程失败的存储单元总数不大于内部设定值，则结束对所述编程页的编程操作。