[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，使半导体装置的性能提高。半导体装置具有SOI基板(1)和在SOI基板(1)形成的反熔丝元件(AF)。SOI基板(1)具有在支撑基板(2)的主面侧形成的p型阱区域(PW1)和在p型阱区域(PW1)上隔着BOX层(3)形成的SOI层(4)。反熔丝元件(AF)具有在SOI层(4)上隔着栅极绝缘膜(GI11)形成的栅电极(GE11)。由反熔丝元件(AF)形成存储元件，在存储元件的写入动作时，向栅电极(GE11)施加第1电位，并且向p型阱区域(PW1)施加与第1电位相同极性的第2电位。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；和反熔丝元件，形成于所述半导体基板，所述半导体基板具有：基体；第1半导体区域，形成于所述基体的主面侧，且为第1导电型；第1绝缘层，形成于所述第1半导体区域上；以及第1半导体层，形成于所述第1绝缘层上，所述反熔丝元件具有：第1栅电极，隔着第1栅极绝缘膜形成于所述第1半导体层上；和第2半导体区域，形成于相对于所述第1栅电极位于第1侧的部分的所述第1半导体层，且为与所述第1导电型相反的第2导电型，由所述反熔丝元件形成存储元件，在所述存储元件的写入动作时，向所述第1栅电极施加第1电位，并且向所述第1半导体区域施加与所述第1电位相同极性的第2电位。