[发明专利]一种片式熔断器制造方法在审
| 申请号： | 201510995288.5 | 申请日： | 2015-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN105428166A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 毛海波;冯志刚;贾广平;杜士雄 | 申请（专利权）人： | 深圳顺络电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01H69/02 | 分类号： | H01H69/02;H01H85/046 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 杨洪龙 |
| 地址： | 518110 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种片式熔断器及其制造方法，方法包括如下步骤：S1、将网板放在薄膜陶瓷基片上，在所述网板上印刷电极浆料，所述电极浆料穿过所述网板的电极图案孔附着在所述薄膜陶瓷基片上；S2、使所述薄膜陶瓷基片上的电极浆料固化成熔断电极；S3、将网板与所述薄膜陶瓷基片分离，得到陶瓷生坯片；S4、将多个陶瓷生坯片进行层叠形成陶瓷生坯，对所述陶瓷生坯进行烧结。本发明既能满足熔断电极宽度及厚度设计要求，又能保证不同个体间熔断电极质量的一致性，从而制作高精度熔断电流的片式熔断器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 熔断器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种片式熔断器制造方法，其特征是，包括如下步骤：S1、将网板放在薄膜陶瓷基片上，在所述网板上印刷电极浆料，所述电极浆料穿过所述网板的电极图案孔附着在所述薄膜陶瓷基片上；S2、使所述薄膜陶瓷基片上的电极浆料固化成熔断电极；S3、将网板与所述薄膜陶瓷基片分离，得到陶瓷生坯片；S4、将多个陶瓷生坯片进行层叠形成陶瓷生坯，对所述陶瓷生坯进行烧结。
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