[发明专利]一种半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201510995670.6 | 申请日： | 2015-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN105405873A | 公开（公告）日： | 2016-03-16 |
| 发明（设计）人： | 乔明;方冬;于亮亮;何逸涛;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/06 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其制造方法，属于半导体技术领域。包括多个结构相同并依次连接的元胞，所述元胞包括N型掺杂衬底，位于N型掺杂衬底之上的N型轻掺杂外延层，位于N型轻掺杂外延层之中的扩散P型阱区，位于扩散P型阱区之中的第一P型重掺杂区和N型重掺杂区，位于N型轻掺杂外延层和扩散P型阱区上表面的氧化层，覆盖整个元胞的金属阴极，位于N型掺杂衬底下表面的第二P型重掺杂区和金属阳极。本发明半导体器件在衬底背面注入与衬底掺杂类型相反的半导体材料，一方面，P型重掺杂背面注入会向N型衬底与N型轻掺杂外延层注入空穴，使得半导体器件为空穴电流和电子电流两种载流子电流，增大器件的电流密度，另一方面可提高器件的反向耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括多个结构相同并依次连接的元胞，所述元胞包括N型掺杂衬底(2)，位于N型掺杂衬底(2)之上的N型轻掺杂外延层(3)，位于N型轻掺杂外延层(3)之中的扩散P型阱区(4)，所述扩散P型阱区(4)为两个并分别位于元胞的两端，位于扩散P型阱区(4)之中的第一P型重掺杂区(5)和N型重掺杂区(7)，位于N型轻掺杂外延层(3)和扩散P型阱区(4)上表面的氧化层(10)，覆盖整个元胞表面的金属阴极(9)，位于N型掺杂衬底(2)下表面的第二P型重掺杂区(1)，位于第二P型重掺杂区(1)下表面的金属阳极(8)，所述第一P型重掺杂区(5)、N型重掺杂区(7)和金属阴极(9)形成欧姆接触，所述第二P型重掺杂区(1)和金属阳极(8)形成欧姆接触。
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