[发明专利]一种高电压梯度、低泄露电流压敏电阻陶瓷材料的制备方法

摘要

一种高电压梯度、低泄露电流压敏电阻陶瓷材料的制备方法，其特征在于，制备原料包括氧化锌ZnO、氧化铋Bi2O3、三氧化二锑Sb2O3、二氧化锰MnO2、氧化铬Cr2O3、三氧化二钴Co2O3、二氧化硅SiO2、氧化银Ag2O、硝酸铟In(NO3)3。其有益效果是：使得间隙锌离子的数量下降，提高了ZnO压敏电阻陶瓷的老化稳定性能，与单纯添加Ag离子相比，泄漏电流也得到有效抑制。添加的稀土元素Y在液相烧结的过程中，有效抑制了ZnO晶粒的生长，促使拐点电压U1mA得以显著提高；在V‑I特性曲线上，反转区右移，提高了本配方制备的ZnO压敏电阻泄放电流的能力。

主权项

1.一种高电压梯度、低泄露电流压敏电阻陶瓷材料的制备方法，其特征在于，制备原料包括氧化锌ZnO、氧化铋Bi2O3、三氧化二锑Sb2O3、二氧化锰MnO2、氧化铬Cr2O3、三氧化二钴Co2O3、二氧化硅SiO2、氧化银Ag2O、硝酸铟In(NO3)3，所述制备原料还包括硝酸钇Y(NO3)3或氧化钇Y2O3中的一种，制备步骤包括制备辅助添加浆料、添加ZnO、添加银离子、添加铟离子、添加钇离子、成型、烧结,各制备原料的摩尔比为：ZnO：Bi2O3：Sb2O3：MnO2：Cr2O3：Co2O3：SiO2：Ag2O：In(NO3)3：Y(NO3)3＝87.5～95.8:0.5‑2.0:0.5‑1.5:0.5‑1.0:0.5‑1.0:0.5‑1.5:1.0‑2.0:0.1‑1.0:0.1‑1.0：1.0‑1.5,ZnO：Bi2O3：Sb2O3：MnO2：Cr2O3：Co2O3：SiO2：Ag2O：In(NO3)3：Y2O3＝87.5～95.8:0.5‑2.0:0.5‑1.5:0.5‑1.0:0.5‑1.0:0.5‑1.5:1.0‑2.0:0.1‑1.0:0.1‑1.0：1.0‑1.5,制备辅助添加浆料步骤中，成分包括Bi2O3、Sb2O3、MnO2、Cr2O3、Co2O3、SiO2，辅助添加浆料的制备方法为加水砂磨，加水砂磨时间为1‑3h，加水砂磨过程中加入的水为去离子水，所加入去离子水与所述辅助添加浆料的质量份数比为去离子水2份、辅助添加浆料1份，所加入的Bi2O3、Sb2O3、MnO2、Cr2O3、Co2O3、SiO2的摩尔比为:0.5‑2.0:0.5‑1.5:0.5‑1.0:0.5‑1.0:0.5‑1.5:1.0‑2.0。