[发明专利]一种新型晶硅太阳能电池测试分档的方法有效
申请号: | 201510997544.4 | 申请日: | 2015-12-28 |
公开(公告)号: | CN105609442B | 公开(公告)日: | 2019-02-19 |
发明(设计)人: | 方再华;杨艳景 | 申请(专利权)人: | 保定光为绿色能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 河北东尚律师事务所 13124 | 代理人: | 王文庆 |
地址: | 074000 河北省保*** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种新型晶硅太阳能电池测试分档的方法,优先使用工作电流处分档,然后再将同一工作电流档的电池片通过电池效率进行再分档的方法,且在对电池片分当时针对不同情况设定灵活的分档区间,根据不同批电池片的参数状况不同使用不同的分档区间,大大降低了最大工作电流与最小工作电流差,集中离散度,实现整个组件单元电池片工作电流的匹配,在降低整个组件的封装损失的同时,组件El测试的明暗片现象也得到了相应改善,提高了电池到组件的产出和组件制造的一次成品率。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 太阳能电池 测试 分档 方法 | ||
【主权项】:
1.一种新型晶硅太阳能电池测试分档的方法,包括工作电流分档和电池效率分档,其特征在于包括以下步骤:A:确立先电流分档、后效率分档的分档模式,并使用计算机模拟出电池片分档区间的理想化模型,对大量的电池片进行实验并采集数据,依次分析各个电流区间所对应各个效率区间电池片各功能优劣情况进行筛选,当各段最小工作电流值和各档位最小效率值与理想化模型一致或接近一致时,完成对照组分布模型建立;B:将各个电池片置入Halm测试机设备内进行测试分选;S:在测试分选步骤中优先进行工作电流初分档:上述步骤S的具体过程为,S1:对待测的电池片组中的各个电池片进行工作电流测试,得到每个电池片的工作电流值;S2:将步骤S1中批次采集到的每个电池片的工作电流值与对照组电池片分布模型进行比对,根据二者的入档率差异,适当的调整对照组电池片分布模型中工作电流最小值,由此确定该批次的电池片所需的最优电流区间,凡电流值不属于最优电流区间的作为废片进行剔除;S3:按照设定梯度,将电流值区间分段,得到多个子电流值区间N;S4:根据步骤S1得到的每个电池片的工作电流值并按照各个子电流值区间对电池片进行分档,凡工作电流值同归属于同一子电流值区间的电池片被归入同一档位内,得到多个一级档位;D:工作电流值分档完毕后,再进行电池效率值分档:上述步骤D的具体过程为,D1:对每个一级档位内的电池片的电池效率值进行测定,得到每个一级档位内的电池片的电池效率值;D2:将该每个一级档位内电池片的具体电池效率分布情况与对照组电池片分布模型进行比对,根据二者的入档率差异,适当的调整对照组电池片分布分布模型中效率最小值,由此得到该一级档位所需的最优电池效率区间,并依次为每个一级档位都设定该一级档位所需的最优电池效率区间,凡电池效率值不属于最优电池效率区间的作为废片进行剔除;D3:按照设定梯度将每个一级档位的电池效率值区间分段,得到该一级档位的多个子电池效率值区间M;D4:按照步骤D3得到的与该一级档位相对应的多个子电池效率值区间M对该一级档位内的每个电池片进行分档,得到该一级档位内的多个二级档位;完成对晶硅太阳能电池测试的分档。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于保定光为绿色能源科技有限公司,未经保定光为绿色能源科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510997544.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种耦合窗加热组件
- 下一篇:半导体装置的制造方法及半导体装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造