[发明专利]一种特高压输电系统用大通流容量、低残压压敏陶瓷制备方法有效

专利信息
申请号: 201510997799.0 申请日: 2015-12-25
公开(公告)号: CN105622087B 公开(公告)日: 2018-05-18
发明(设计)人: 何金良;胡军;曾嵘 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: H01L41/187 分类号: H01L41/187;C04B35/453;C04B35/626;C04B35/64
代理公司: 重庆百润洪知识产权代理有限公司 50219 代理人: 刘立春
地址: 100084*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种特高压输电系统用大通流容量、低残压压敏陶瓷制备方法,制备原料包括氧化锌ZnO、氧化铋Bi2O3、三氧化二锑Sb2O3、二氧化锰MnO2、氧化铬Cr2O3、三氧化二钴Co2O3、二氧化硅SiO2、氧化银Ag2O、Ga(NO3)3、硝酸铝Al(NO3)3。其有益效果是:泄漏电流得到抑制;Al和Ga元素的共同添加使得本配方制作的ZnO压敏电阻的老化性能更加稳定,消除了单纯添加Ag离子带来的压敏电阻老化性能不稳定的不足之处。
搜索关键词: 一种 高压 输电 系统 通流 容量 压压 陶瓷 制备 方法
【主权项】:
1.一种特高压输电系统用大通流容量、低残压压敏陶瓷制备方法,其特征在于,制备原料包括氧化锌ZnO、氧化铋Bi2O3、三氧化二锑Sb2O3、二氧化锰MnO2、氧化铬Cr2O3、三氧化二钴Co2O3、二氧化硅SiO2、氧化银Ag2O、Ga(NO3)3、硝酸铝Al(NO3)3,制备步骤包括制备辅助添加浆料、成型、烧结,所述制备辅助添加浆 料步骤包括初次球磨、二次球磨、三次球磨、喷雾造粒、自动含水,各制备原料之间的摩尔比为:ZnO:Bi2O3:Sb2O3:MnO2:Cr2O3:Co2O3:SiO2:Ag2O:Ga(NO3)3:Al(NO3)3=87.5~95.8:0.5-2.0:0.5-1.5:0.5-1.0:0.5-1.0:0.5-1.5:1.0-2.0:0.1-1.0:0.1-1.0:1.0-1.5,所述初次球磨步骤中,所述初次球磨的成分包括Bi2O3、MnO2、Sb2O3、Co2O3、SiO2、Cr2O3、去离子水,所述初次球磨时间大于6h,得到初次球磨辅助混合浆料,所加入的Bi2O3、MnO2、Cr2O3、Co2O3、SiO2成分的摩尔比为:0.5-2.0:0.5-1.5:0.5-1.0:0.5-1.0:0.5-1.5:1.0-2.0。
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