[发明专利]一种特高压输电系统用大通流容量、低残压压敏陶瓷制备方法有效
申请号: | 201510997799.0 | 申请日: | 2015-12-25 |
公开(公告)号: | CN105622087B | 公开(公告)日: | 2018-05-18 |
发明(设计)人: | 何金良;胡军;曾嵘 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L41/187 | 分类号: | H01L41/187;C04B35/453;C04B35/626;C04B35/64 |
代理公司: | 重庆百润洪知识产权代理有限公司 50219 | 代理人: | 刘立春 |
地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种特高压输电系统用大通流容量、低残压压敏陶瓷制备方法,制备原料包括氧化锌ZnO、氧化铋Bi2O3、三氧化二锑Sb2O3、二氧化锰MnO2、氧化铬Cr2O3、三氧化二钴Co2O3、二氧化硅SiO2、氧化银Ag2O、Ga(NO3)3、硝酸铝Al(NO3)3。其有益效果是:泄漏电流得到抑制;Al和Ga元素的共同添加使得本配方制作的ZnO压敏电阻的老化性能更加稳定,消除了单纯添加Ag离子带来的压敏电阻老化性能不稳定的不足之处。 | ||
搜索关键词: | 一种 高压 输电 系统 通流 容量 压压 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种特高压输电系统用大通流容量、低残压压敏陶瓷制备方法,其特征在于,制备原料包括氧化锌ZnO、氧化铋Bi2 O3 、三氧化二锑Sb2 O3 、二氧化锰MnO2 、氧化铬Cr2 O3 、三氧化二钴Co2 O3 、二氧化硅SiO2 、氧化银Ag2 O、Ga(NO3 )3 、硝酸铝Al(NO3 )3 ,制备步骤包括制备辅助添加浆料、成型、烧结,所述制备辅助添加浆 料步骤包括初次球磨、二次球磨、三次球磨、喷雾造粒、自动含水,各制备原料之间的摩尔比为:ZnO:Bi2 O3 :Sb2 O3 :MnO2 :Cr2 O3 :Co2 O3 :SiO2 :Ag2 O:Ga(NO3 )3 :Al(NO3 )3 =87.5~95.8:0.5-2.0:0.5-1.5:0.5-1.0:0.5-1.0:0.5-1.5:1.0-2.0:0.1-1.0:0.1-1.0:1.0-1.5,所述初次球磨步骤中,所述初次球磨的成分包括Bi2 O3 、MnO2 、Sb2 O3 、Co2 O3 、SiO2 、Cr2 O3 、去离子水,所述初次球磨时间大于6h,得到初次球磨辅助混合浆料,所加入的Bi2 O3 、MnO2 、Cr2 O3 、Co2 O3 、SiO2 成分的摩尔比为:0.5-2.0:0.5-1.5:0.5-1.0:0.5-1.0:0.5-1.5:1.0-2.0。
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