[发明专利]一种高透过率导电薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201510998333.2 | 申请日： | 2015-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN105551580B | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 苏丽芬;夏茹;杨斌;钱家盛;苗继斌;陈鹏;郑争志;曹明 | 申请（专利权）人： | 安徽大学 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B1/08;H01B1/04;H01B13/00 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司34101 | 代理人： | 何梅生,卢敏 |
| 地址： | 230601 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高透过率导电薄膜及其制备方法，其特征在于高透过率导电薄膜是以玻璃为衬底，采用三层膜组合方式，底层为减反射薄膜，中间层为p型半导体氧化物薄膜，顶层为氮掺杂石墨烯薄膜。本发明的高透过率导电薄膜的可见光透过率为88％～96％，电阻率为15～100Ω/sq；且本发明高透过率导电薄膜的制备工艺简单，对设备要求不高，可大面积生产，有望取代传统价格昂贵的ITO、AZO等透明导电薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 透过 导电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高透过率导电薄膜，其特征在于：所述高透过率导电薄膜是以玻璃为衬底，采用三层膜组合方式，底层为减反射薄膜，中间层为p型半导体氧化物薄膜，顶层为氮掺杂石墨烯薄膜；所述减反射薄膜为纳米SiO2薄膜，厚度为20～50nm，在550nm处的透过率不低于97％；所述p型半导体氧化物薄膜为镓掺杂氧化钛薄膜或镓掺杂氧化锡薄膜，薄膜厚度低于30nm。
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