[发明专利]一种基于超薄金属的透明电极及其制备方法

摘要

一种基于超薄金属的透明电极及其制备方法，所述透明电极为四层结构，自下而上依次为透明基底(1)、成核籽晶层(2)、超薄金属层(3)、减反增透层(4)；该透明电极的制备步骤包括：将透明基底进行清洗并烘干；在透明基底上沉积作为成核籽晶层；通过真空蒸镀或者电子束沉积或者磁控溅射沉积的方式在成核籽晶层上沉积超薄金属；通过溶液旋涂或者溶液刮涂或者真空蒸镀或者磁控溅射沉积的方式在超薄金属上面沉积减反增透层。本发明的透明电极具有生产成本低、工艺简单、易于柔性集成、稳定性高、表面形态好等特点。

主权项

1.一种基于超薄金属的透明电极，其特征在于所述透明电极为四层结构，自下而上依次为透明基底(1)、位于所述透明基底上的成核籽晶层(2)、位于所述成核籽晶层上的超薄金属层(3)以及位于所述超薄金属层上的减反增透层(4)；所述超薄金属层(3)为Al、Ag、Au、Cu中的一种或者其中两种金属的复合体系，或者上述Al、Ag、Au、Cu中某一种金属掺氧体系；所述减反增透层(4)为CuSCN、CuI中的一种或者二者的混合体系，其厚度为10‑60nm，通过旋涂、刮涂、丝网印刷、喷墨打印、磁控溅射或者真空蒸镀方式中的一种沉积在超薄金属层(3)上面，且沉积后是在120℃的热板上退火20min得到的，减反增透层(4)既可以形成透明电极的减反增透层，又可以直接作为光电器件的空穴传输层；若为ZnO‑Ag/Al‑CuSCN体系的超薄金属透明电极时，位于所述成核籽晶层上的超薄金属层(3)是在以下条件制备而得的：以纯度优于99.99％的Ar作为沉积气氛，Ar流量为45sccm，同时激活Ag靶材及Al靶材，Ag靶上溅射功率为300W，Al靶上的溅射功率为50W，溅射膜厚为9nm；若为ZnO‑CuOx‑CuSCN或者TiO2‑AgOx‑CuI体系的超薄金属透明电极时，位于所述成核籽晶层上的超薄金属层(3)是在以下条件制备而得的：以纯度优于99.99％的Ar作为沉积气氛，Ar流量为45sccm，O2流量为2sccm，激活Cu或Ag靶材，溅射功率为40W，溅射膜厚为10nm。