[发明专利]三维非易失性NOR型闪存

摘要

本发明提供了三维非易失性NOR闪存的一些器件结构：这些闪存器件由本发明提供的一系列基本NOR存储组连结成阵列构成，而这些基本NOR存储组中的各存储单元(场效应晶体管)沿着一定方向(垂直、斜交或平行于基底平面方向)堆叠/排列且电路上形成并联，来低成本地实现高存储密度(可达1Tb量级)。这些三维NOR闪存器件不仅可以实现对任意单个存储单元进行独立的完全随机存取，而且可对任意数量的选定存储单元群进行并行写入/擦除操作，因而可广泛使用于可执行代码存储和大容量数据存储两方面的应用之中。

主权项

1.一种基本非易失性存储组，其特征在于，包括：多个场效应晶体管，所述场效应晶体管沿着垂直或斜交于基底平面的任意方向堆叠并通过共享源极和漏极电路上并联起来；一片半导体鳍，所述半导体鳍的侧壁或主体为同一基本存储组内的场效应晶体管提供相应的导电沟道；同一基本非易失性存储组内的所有所述场效应晶体管共享的源极和漏极位于所述导电沟道的两端；每个所述场效应晶体管有一个或者多个侧栅极；电荷捕捉结构，所述电荷捕捉结构夹在所述场效应晶体管的侧栅极和所述导电沟道之间，作为所述场效应晶体管的存储材料。