[发明专利]一种高海拔种植霍山石斛的方法在审

专利信息
申请号: 201510999079.8 申请日: 2015-12-25
公开(公告)号: CN105612989A 公开(公告)日: 2016-06-01
发明(设计)人: 李彪;王多林 申请(专利权)人: 安徽霍山县松鹤堂中药材有限公司
主分类号: A01G1/00 分类号: A01G1/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 237000 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种高海拔种植霍山石斛的方法,属于植物栽培技术领域,具体包括以下步骤:种植场地的选择、整地做床、霍山石斛种苗的准备、栽种、栽后管理和采收。本发明利用高海拔地区作为霍山石斛的种植场地,选择合适森林树枝密度,充分利用高海拔地区的林地,回归霍山石斛原始生长状态,几乎没有病虫害,种植不需要与农业抢耕地;在种植的过程中,只施用了蚕粪,完全不使用化肥,生态环保,对人体无害;冬季对石斛苗的保暖防护中,就地取材,利用阔叶林落叶将其覆盖,起到防冻保暖的效果,第二年开春将阔叶林落叶拨开,落叶发生腐殖化和矿质化,形成腐殖质,可以有效改善栽培基质的肥力。
搜索关键词: 一种 海拔 种植 霍山 石斛 方法
【主权项】:
一种高海拔种植霍山石斛的方法,其特征在于,具体包括以下步骤:(1)种植场地的选择选择通风良好的阔叶林疏林地,海拔600~800m,坡度不大于20°,日均光照强度5000~12000Lux;(2)整地做床沿等高线方向修筑梯地,梯地宽度根据地势而定,平整土地、清除杂草和树根,在平整的土地上铺20~30cm厚的石块,再铺7~12cm厚的砾石,最后再铺松树皮和阔叶林落叶的混合物10公斤/m2,作为霍山石斛栽培基质;(3)霍山石斛种苗的准备把霍山石斛种苗放入50%多菌灵可湿性粉剂800倍液浸泡20~60秒,取出后用清水洗净即可种植;(4)栽种栽种时间为4月中旬,按株距12~15cm,行距15~20cm的标准,将霍山石斛种苗固定在所述的栽培基质上,种植完成后,浇足定根水;(5)栽后管理包括灌溉、施肥、遮阴和保暖防护:①灌溉:灌溉所用水的pH值5.5~7.0,喷斗间距0.8~1.2m,春天每4天喷灌一次,夏季每2天喷灌一次,秋季和冬季每5天喷灌一次;②施肥:次年2月向栽培基质上施用蚕粪100公斤/亩;③遮阴:夏季通过对场地树木的剪修或设置遮阳网控制遮光度,遮光度范围为50%~70%;④保暖防护:12月份在霍山石斛种苗上覆盖阔叶林落叶,落叶将种苗完全包裹,第二年开春将阔叶林落叶拨开,露出来石斛苗;(6)采收在种植的第二年11月中下旬进行采收,把叶子自然脱落下的成熟茎从根部剪下,嫩茎不采,留下继续生长。
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